图文导读：律师图1Sb2Se3薄膜太阳电池制备流程图2 Sb2Se3薄膜的微结构a硒化温度为340°C，律师b380°C，d420°C，e460°C表面形貌;cXRD， f器件剖面形貌图3Sb2Se3薄膜太阳电池性能 a器件材料能级位置图，bI-V曲线，cEQE，d器件稳定性 图4太阳电池TEM剖面情况a 电池剖面TEM形貌，b，c，d不同径向深度Sb2Se3晶格常数和生长取向情况，e电池径向成分，f电池剖面成分面分布图5Sb2Se3/CdS界面生长情况图6Sb2Se3/CdS界面缺陷表征a变温Voc，bCV和DLCP，cC-2-V图7变温导纳谱分析aC-F-T，b缺陷激活能，c计算缺陷密度 (420°C)，d计算缺陷密度(380°C)通讯作者简介：梁广兴，男，法国雷恩第一大学博士，现任深圳大学物理与光电工程学院特聘副研究员，硕士生导师，博士生导师（留学生），深圳市海外高层次人才（孔雀），深圳市南山区领航人才，深圳大学荔园优青。
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