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在高浓度时，多偷多自独当合金原子之间发生弹性和化学相互作用，导致有序/无序化现象和晶格的严重畸变。它不仅比机械晶界弛豫后的Cu纳米晶粒高（约0.45Tm），多偷多自独当而且比变形的粗晶粒Cu的常规再结晶温度（0.4Tm）高约280K。最后会过渡至锯齿流变行为，多偷多自独当高熵合金会呈现出大振幅的变形应力。
对铸造和焊接凝固组织的大量研究表明，多偷多自独当温度梯度和液相等温线速度等关键热参数控制着晶体的生长，从而决定了组织的形貌、空间分布和取向。多偷多自独当图2（A）三维图解模型描述了样品加载方向与DP钢组织结构的关系。
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在没有气孔的情况下，多偷多自独当可以观察到晶胞细化。Ni-HAB薄膜用于制造FET器件显示，多偷多自独当由于晶体缺陷和存在的大量晶界，该器件电导率及和背栅相关电导率较低。
Lahiri[14]等通过液-液界面法或气-液界面法合成了一系列基于HAB的导电MOF膜，多偷多自独当M3HAB2（M=Co，Ni和Cu）。因此，多偷多自独当具有氧化还原活性的客体分子已被广泛用于改善绝缘框架的电导率。
I2是使用最广泛的掺杂剂，多偷多自独当早期，多偷多自独当Kobayashi[9]报告了一个非常典型的例子，在50℃下将Cu[Ni(pdt)2]膜暴露于I2蒸气会使Cu[Ni(pdt)2]的电导率从1×10-8 Scm-1增大到1×10-4Scm-1，活化能从0.49eV下降到0.18eV。2015年，多偷多自独当中国科学院化学研究所的徐伟和朱道本研究员报道了导电MOF Cu-BHT[4]，其电导率达到了超高的1580S cm-1，自此，导电MOF迎来了井喷式的发展。
